10.3969/j.issn.1001-3660.2007.03.016
交流脉冲参数对TC4钛合金微弧氧化陶瓷膜的影响
为了研究交流脉冲占空比和频率对微弧氧化膜的影响.采用恒电流方式对TC4钛合金进行微弧氧化,用扫描电镜和X衍射仪分析膜层的表面形貌及相结构.结果表明:随占空比的增大,微弧氧化膜层的生长速率增大,金红石相TiO2相对含量增加;随频率的增大,微弧氧化膜层的生长速率减小,表面趋于平整,锐钛矿相和金红石相TiO2相对含量与处理频率无关.
微弧氧化、钛合金、占空比、频率、氧化陶瓷膜
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TG174.451(金属学与热处理)
2007-07-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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