AlN薄膜的离子反应镀工艺优化及分析

摘要：

利用高纯氮气和铝,采用离子反应镀的方法,在石英玻璃衬底上成功制得AlN薄膜.正交设计优化结果表明:AlN薄膜最大沉积速率达到0.81μm/min,其相应的工艺参数为:蒸发电压225V,轰击电压70V,轰击时N2气压为1.5999Pa.X-射线衍射、原子力显微镜、近红外光谱、拉曼光谱对薄膜进行了分析,证明了AlN薄膜的存在.

关键词：氮化铝、薄膜、离子反应镀、工艺优化

所属期刊栏目：36

分类号：TG174.44(金属学与热处理)

在线出版日期：2007-07-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：37-39