ε-Ga2O3/SiC异质结自驱动型日盲光电探测器

摘要：

构建合适的异质结是改善光电探测器性能的一种有效方法,为了提升超宽禁带半导体Ga2O3薄膜日盲光电探测器的光电性能,采用金属有机化学气相沉积技术在SiC单晶衬底上成功异质外延了高质量的ε-Ga2O3薄膜,并制备了 ε-Ga2O3/SiC异质结光电探测器.探究外延薄膜的晶体结构和吸收光谱可知,单一取向的ε-Ga2O3薄膜对日盲区紫外光表现出强烈的吸收特性.得益于较强的内建电场,制备的异质结光电探测器件具有出色的自驱动光电响应特性.在无外置电场条件下具有稳定的深紫外光响应,其具有暗电流低、灵敏度高的特点.在0V偏压、254 nm紫外光辐照下,探测器光暗电流比高达10,光响应度达到0.3 mA/W,比探测率达到1.45×1010 cm·√Hz/W.ε-Ga2O3/SiC自驱动光电探测器的成功研制可为实现零能耗探测器件的制备提供理论思路和实验指导.

关键词：ε-Ga2O3、异质结、日盲光电探测器、自驱动

所属期刊栏目：45

分类号：TN23(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金12074044

在线出版日期：2022-08-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：44-49