晶体外延生长模式的完备理论描述与“后S-K异质兼容生长模式”的预言
指出了晶体外延生长模式现有理论描述的若干问题，包括：①弗兰克-范·德·默夫模式被描述为仅存在于衬底表面能优势度为正值的情形中，这和晶格失配度足够小的2种材料能够以该模式交替生长的实验事实不符；②对于不同的衬底表面能优势度，弗兰克-范·德·默夫模式与斯特兰斯基-克拉斯塔诺夫( S-K)模式之间的转换被描述为发生在某一固定的晶格失配度上，这显然是不合理的；③由弗兰克-范·德·默夫模式似可直接转换为沃尔默-韦伯模式，反之亦然，这一描述值得质疑。针对这些问题，提出了改进的、更加完备的理论描述，其中引入了“准弗兰克-范·德·默夫模式”的概念。在此基础上，提出了“后S-K异质兼容生长模式”的概念，并探讨了基于该模式实现高质量异质兼容体材料生长的可能性。
外延生长模式、弗兰克-范·德·默夫模式、斯特兰斯基-克拉斯塔诺夫模式、沃尔默-韦伯模式、准弗兰克-范·德·默夫模式、后S-K异质兼容生长模式、光子集成、光电集成
TN2(光电子技术、激光技术)
国家重点基础研究发展计划973计划项目2010CB327600;国家自然科学基金重大国际合作研究项目61020106007;科技部国际合作计划重点项目2006DFB11110;中俄政府间科技合作计划项目CR-B-30;科技部国际科技合作项目2011DFR11010;中俄 NSFC-RFBR 联合资助项目61211120195;高等学校博士学科点专项科研基金课题20130005130001;信息光子学与光通信国家重点实验室自主研究课题;教育部和国家外专局共同设立的“通信与网络核心技术”学科创新引智基地项目B07005;北京市科学技术委员会设立的“信息光电子学与纳异质结构”北京市国际科技合作基地项目
2015-02-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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