高速层进式Nand Flash差错控制编码

摘要：

由于加工工艺的局限性,在Nand存储器(Nand Flash)控制器设计时应具有处理存储数据出错的功能,但是还要保持一定的纠错速度.为解决该问题,在分析常用的差错控制编码(ECC)算法的基础上,提出了一种高速层进式Nand Flash纠错算法,以提高Nand Flash的读写速度;同时设计了一个可纠4位错的Nand Flash控制器.仿真结果表明,采用该编码可有效减少存储器数据纠错时间.

关键词：Nand存储器、差错控制编码、Bose-Chaudhuri-Hocquengham

所属期刊栏目：33

分类号：TH74(仪器、仪表)

在线出版日期：2010-12-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：71-74