BCB介质层同轴TSV的热力学仿真分析

摘要：

穿透硅通孔(through silicon via,TSV)的热机械可靠性问题已经成为制约TSV市场化应用的重要因素.本文对BCB介质层同轴TSV的热力学特性进行了研究分析,同时对其几何参数(SiO2绝缘层厚度、屏蔽环厚度、TSV间距、中心信号线半径)进行了变参分析,为降低热应力提供指导意见.结果表明,在阻抗匹配的前提下,通过增加SiO2绝缘层厚度、减小屏蔽环厚度能够有效降低同轴TSV的诱导热应力;相比之下中心信号线半径和TSV间距的变化对其影响可忽略不计.

关键词：同轴TSV、BCB介质层、热应力、有限元分析

所属期刊栏目：41

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然基金资助项目62074015,61774015

在线出版日期：2021-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：65-69