K波段双通道集成CMOS发射前端芯片设计

摘要：

采用TSMC 90 nm CMOS工艺,设计并实现了一款具有移相功能的K波段双通道集成发射前端芯片.该芯片主要由一个功率分配器、两组参数不同的有源移相器和功率放大器构成,同时在片上集成了用于控制移相器的数字模块.测试结果表明,在中心频点25 GHz处,两个通道的增益分别为19.1 dB和18.9 dB,输出1 dB压缩点分别为9.57 dBm和8.41 dBm,相位误差分别为1.38°和1.47°,供电电压为1.2V,总功耗为0.32W,芯片总面积为2.2 mm×1.25 mm.

关键词：K波段、双通道、有源移相器、功率放大器、CMOS 工艺

所属期刊栏目：39

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家高等学校学科创新引智计划资助项目B14010

在线出版日期：2019-07-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：509-513