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10.15918/j.tbit1001-0645.2018.01.012

脉冲无氰电镀在硅基RF-MEMS滤波器中的应用及优化

引用
针对硅基RF-MEMS带通滤波器制备过程中金层电镀沉积工艺,基于亚硫酸金盐无氰电镀液,并结合脉冲电镀技术,通过对电流密度、占空比、正负脉冲时间比、脉冲频率、温度、搅拌速率等相关工艺参数进行优化组合,实现了所设计的硅基双层自屏蔽式RF-MEMS带通滤波器制备与测试,也为相关RF-MEMS器件制备提供了工艺指导.

MEMS滤波器、脉冲电镀、亚硫酸金盐、无氰电镀

38

TN603.5;TN629.1(电子元件、组件)

北京理工大学基础研究基金资助项目20110542016

2018-04-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

68-72

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北京理工大学学报

1001-0645

11-2596/T

38

2018,38(1)

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