4H-SiC MOS电容栅介质经NO退火电流导通机理研究

摘要：

本文对进行NO退火和非NO退火的SiC MOS电容的栅泄漏电流的导通机理进行了分析,研究表明在高场下经过NO退火和未经过NO退火的样品的栅泄露电流都由Fowler-Nordheim (FN)隧穿决定,经过NO退火的势垒高度为2.67 eV,而未经过NO退火的样品势垒高度为2.54 eV,势垒高度的增加说明了氮化的作用.在中度电场区域,通过拟合分析发现此区域的栅泄漏电流主要由Poole-Frenkel发射(PF)决定,并不受陷阱辅助隧穿trapassisted tunneling(TAT)的影响.同时C-V特性也明显看出NO退火对界面质量的影响.

关键词：SiC MOS、NO退火、栅泄漏电流导通机理

所属期刊栏目：37

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金青年基金资助项目JJ0500142501;国家自然科学基金重点资助项目JJ0200122502

在线出版日期：2017-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：497-500