低阻硅TSV高温工艺中的热力学分析

摘要：

针对低阻硅TSV热力学研究的空白做出了相应的仿真分析.首先介绍了低阻硅TSV转接层的加工工艺,接着基于实验尺寸,在350℃工艺温度下,模拟了低阻硅TSV的涨出高度及应力分布.不同于铜基TSV,低阻硅TSV的涨出区域主要集中在聚合物绝缘层的上方.为了减小低阻硅TSV的涨出高度及热应力,分别对工艺温度、表面SiO2厚度、低阻硅TSV的直径、高度、间距和BCB绝缘层厚度进行了变参分析.结果表明,减小BCB绝缘层的厚度及高度以及增加表面SiO2厚度是抑制低阻硅TSV膨胀高度及减小热应力的有效方法.

关键词：三维集成电路、硅通孔、低阻硅、热膨胀

所属期刊栏目：37

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科研基金资助项目61404008,61574016;“111”引智计划资助项目B14010;北京理工大学基础研究基金资助项目20130542015

在线出版日期：2017-04-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：201-206