2.5D集成电路中低阻硅通孔的电学性能研究

摘要：

2.5D集成技术(转接层技术)可以实现不同芯片间的异质集成,基于低阻硅通孔(TSV)的转接层利用了低阻硅的良好导电性,可以代替铜基硅通孔,具有工艺简单、成本低廉的优点.本文对低阻硅通孔进行了电磁学仿真,在1 GHz时,回波损耗S11为-24.7 dB,插入损耗S21为-0.52 dB基本满足传输线的要求.提出了等效电路模型,与电磁仿真结果对比,具有较好的一致性,可以实现在0.1～10 GHz带宽内的应用.最后对低阻硅通孔进行了TDT/TDR及眼图仿真,结果表明虽然低阻硅通孔的电阻对压降有较大影响,但是寄生电容的影响相对较小.

关键词：三维集成电路、转接层、硅通孔、低阻硅

所属期刊栏目：37

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金资助项目61404008,61574016;“111”引智计划资助项目B14010;北京理工大学基础研究基金资助项目20130542015

在线出版日期：2017-04-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：196-200,206