2.9～10.6 GHz CMOS两级分布式放大器

摘要：

研究应用于超宽带无线通信系统中的宽带分布式放大器设计方法.采用电感替代传输线对晶体管寄生电容进行补偿的方法实现带宽拓展.分布式放大器既能扩大其带宽,又能保持较低的噪声系数.该设计采用TSMC公司的RF 0.18μm CMOS工艺,电源电压为1.8V,功耗为104mW.仿真结果表明提出的分布式放大器在2.9～10.6GHz的频带内S21保持(18.7士0.9)dB的平坦增益,噪声系数最小值NF=1.80dB.

关键词：分布式放大器、超宽带、低噪声、CMOS工艺

所属期刊栏目：33

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家"九七三"计划项目2011CB933202;国家教育部高等学校博士学科点专项科研基金资助项目20101101110018

在线出版日期：2013-10-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：729-731,740