一款抗单粒子瞬态加固的偏置电路

摘要：

通过增加一个NMOP、PMOS和一个电阻组成的单粒子瞬态抑制电路,设计了一种新的抗单粒子瞬态加固的偏置电路,该偏置电路具有较高抗单粒子瞬态能力.为了证实其抗单粒子能力,基于SIMC 130 nm CMOS工艺设计了传统的及提出的抗单粒子瞬态两种结构的偏置电路.仿真结果表明,对于提出的加固偏置电路,由单粒子引起的瞬态电压和电流的变化幅值分别减小了约80.6％和81.2％；同时增加的单粒子瞬态抑制电路在正常工作状态下不消耗额外功耗,且所占用的芯片面积小,也没有引入额外的单粒子敏感结点.

关键词：抗辐射设计加固、单粒子瞬态、辐射效应、偏置电路、线性能量传输(LET)

所属期刊栏目：33

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2013-04-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：190-194