TiB2等C32型化合物价电子结构分析

摘要：

根据余瑞璜提出的"固体分子的经验电子理论",在徐万东和余瑞璜处理过渡金属化合物晶体结合能及熔点理论基础上,研究TiB2等高性能材料电子结构.发现IVB,VB族元素的硼化物熔点都比相应的单质有较大提高,原因是组成元素的杂阶升高,单键半距随杂阶升高而逐渐下降.其杂阶组合与结合能及熔点的密切联系,表明用经验电子理论进行电子结构分析可为材料设计提供有力的理论指导. 另外几种金属化合物的键距差分析和结合能及熔点的计算实现了传统固体理论不能进行的复杂结构晶体电子结构及性能分析.

关键词：经验电子理论、TiB2、熔点

所属期刊栏目：20

分类号：O482.2;O561.1;O469(固体物理学)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：550-554