不同缓冲层对Ni81Fe19薄膜性能影响和微结构分析

摘要：

采用磁控溅射方法制备分别以Ta和NiFeCr为缓冲层的Ta（NiFeCr）/NiFe/Ta薄膜材料.对于相同厚度的NiFe薄膜,与传统材料Ta相比,用NiFeCr作缓冲层薄膜的各向异性磁电阻有显著的提高.X射线衍射结果表明,与Ta缓冲层相比NiFeCr缓冲层可以诱导更强的NiFe（111）织构.高分辨透射电子显微镜结果表明,NiFeCr缓冲层和NiFe层的晶格匹配非常好,NiFe沿着NiFeCr外延生长,以NiFeCr为缓冲层的NiFe薄膜具有良好的晶体结构.对薄膜进行热处理,以NiFeCr缓冲层为缓冲薄膜的各向异性磁电阻值在350℃以下基本保持不变,当退火温度超过350℃后,其值会明显下降.以NiFeCr缓冲层的薄膜在350℃以下退火具有良好的热稳定性.

关键词：坡莫合金、薄膜、缓冲层、磁致电阻、微观结构、磁控溅射

所属期刊栏目：34

分类号：TB383;O484.5(工程材料学)

资助基金：国家自然基金资助项目50831002,50971021,50101012;中央高校基本科研业务费专项FRF--SD--12--011A

在线出版日期：2012-09-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：813-816