扫描Kelvin探针研究缺陷涂层的膜下腐蚀电化学行为

摘要：

应用扫描Kelvin探针原位研究盐雾和干湿周浸环境中缺陷涂层膜下的腐蚀行为. 结果显示:在两种腐蚀环境中,缺陷涂层均分为缺陷、阴极剥离及完好涂层区域;Kelvin电位的分布相同,缺陷处最高,完整涂层处最低. Kelvin电位分布峰的直径随时间的延长而增大,表明剥离区域扩大. 干湿周浸环境中,Kelvin电位的最大值Vmax随时间变化不明显,Vmin在逐渐下降后达到谷值,随后升高;盐雾环境中由于电解质溶液持续扩散和盐雾颗粒极强的腐蚀性,Kelvin电位随时间的变化规律为Vmin在起始阶段达到最小值,随后升高. 由Vmax-Vmin的变化规律得出,干湿周浸环境下腐蚀倾向性在试验开始5h后达到最大,而在盐雾环境下,试验开始阶段腐蚀倾向性就达到最大,且要高于干湿周浸环境.

关键词：涂层、缺陷、电化学腐蚀、扫描Kelvin探针

所属期刊栏目：32

分类号：TG174.46(金属学与热处理)

资助基金：科技部国家科技基础条件平台建设资助项目2005DKA10400

在线出版日期：2010-11-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：1169-1174