10.3321/j.issn:1001-053X.2009.03.015
Al-Si合金枝晶生长相场法模拟影响因素
采用相场法技术,确定了噪声、初始晶核半径、各向异性及过冷度等因素对枝晶生长形貌模拟的影响规律.结果表明:在保证初始晶核不被熔化的前提下,初始晶核半径r0的大小不影响模拟结果;随着界面各向异性系数的增大,枝晶尖端生长速度以线性方式增大,而枝晶尖端半径以抛物线方式减小;过冷度越小,枝晶的生长越困难,越不能出现二次枝晶.相场法模拟影响因素对枝晶生长形貌模拟有重要的影响.
铝硅合金、枝晶生长、相场法、数值模拟、影响因素
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TG244(铸造)
2009-04-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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