10.3321/j.issn:1001-053X.2005.03.015
氮化烧成后硅在刚玉氮化硅材料中的赋存形态
研究了不同温度氮化烧成后,硅在刚玉氮化硅材料中的赋存形态.结果表明:1300℃氮化后,硅的外层包裹着絮状的O'-Sialon;1400℃时,硅颗粒破裂且内部有氮化硅生成;1 500℃时,已没有残留硅保留下来,硅氮化生成了O'-Sialon和氮化硅;1 600℃时,硅氮化完全,其中的杂质相CaO,Fe2O3等富集在一起.
硅、刚玉氮化硅、氮化、赋存形态
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TB3(工程材料学)
国家自然科学基金;国家自然科学基金
2005-09-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
317-320