原位合成MoSi2/SiC复合材料的组织缺陷

摘要：

TEM和HREM研究表明,原位合成MoSi2基复合材料的组织中,基体MoSi2中存在较多的位错,而且尤以MoSi2与SiC的界面处位错最为集中,SiC颗粒的内部缺陷的主要形式为孪晶和层错.纳米力学探针分析表明,MoSi2/SiC界面附近存在明显的硬度梯度.在材料制备冷却过程中,因MoSi2基体与SiC颗粒之间的热膨胀系数(CTE)的差别而导致的其中的残余热应力是造成上述组织特征的原因.

关键词：MoSi2-SiC复合材料、原位合成、界面、位错、层错、孪晶

所属期刊栏目：23

分类号：TB332;TG148(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金59895150-04-02

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：249-252