10.3969/j.issn.1674-6864.2012.01.007
高保真度压印光刻图形质量研究
为提高纳米压印工艺的图形质量,在抗蚀剂涂铺之前,对硅基材料进行氧离子轰击表面改性,有效增强硅基材料对抗蚀剂的亲和性;采用PDMS软模具,脱模性能好,而且能够很好的清除图型母版和自身表面的杂质;利用高保真度加载工艺,图型横向和纵向复型误差小于14 nm;运用多元回归方法建立了所选温度测点的温度值与模具中心z向热误差之间的关系模型,并对热误差进行了补偿.实验结果表明,压印光刻工艺实现了图型特征的高保真度复制.
压印光刻、高保真度、模具、压印工艺、热误差
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TH112;TH113.1
2012-06-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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