Flash芯片电流"尖峰"现象的脉冲激光试验

摘要：

利用皮秒脉冲激光单粒子效应试验装置研究了一款宇航级Flash芯片的电流"尖峰"(HCS)现象.利用激光准确定位的特点,确定电流"尖峰"是由芯片的电荷泵单元充放电引起的,不同的激光能量、入射位置会触发不同频率、相同幅值的电流"尖峰"现象,虽然电流"尖峰"发生的瞬间电流增大的现象与单粒子锁定效应表现一致,但机理完全不同.当激光能量足够高(对应于重离子LET值99.8 MeV·cm2/mg)时,在电荷泵的同一个敏感位置累积多次辐照不断触发芯片发生电流"尖峰",芯片会因多次充放电而损坏.

关键词：Flash芯片、电流"尖峰"(HCS)、单粒子锁定、脉冲激光、电荷泵

所属期刊栏目：47

分类号：V221+.3(飞机构造与设计)

资助基金：国家自然科学基金11875060

在线出版日期：2021-06-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：961-966