0.13μm部分耗尽SOI工艺反相器链SET脉宽传播

摘要：

基于0.13 μm部分耗尽绝缘体上硅(PD-SOI)工艺,设计了一款片上反相器链(DFF)单粒子瞬态(SET)脉宽测试电路并流片实现,SET脉宽测试范围为105 ～3 150 ps,精度为±52.5 ps.利用重离子加速器和脉冲激光模拟单粒子效应试验装置对器件进行了SET脉宽试验.采用线性能量传输(LET值)为37.6 MeV·cm2/mg的86 Kr离子触发了反相器链的三级脉宽传播,利用脉冲激光正面测试器件触发了相同级数的脉宽,同时,激光能量值为5 500 pJ时触发了反相器链的双极放大效应,脉宽展宽32.4％.通过对比激光与重离子的试验结果,以及明确激光到达有源区的有效能量的影响因子,建立了激光有效能量与重离子LET值的对应关系,分析了两者对应关系偏差的原因.研究结果可为其他种类芯片单粒子效应试验建立激光有效能量与重离子LET值的对应关系提供参考.

关键词：部分耗尽绝缘体上硅(PD-SOI)、重离子加速器、脉冲激光、有效能量、脉冲宽度、双极放大

所属期刊栏目：45

分类号：V221+.3;TB553(飞机构造与设计)

资助基金：国家自然科学基金;中国科学院重点部署项目

在线出版日期：2019-12-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：2193-2198