130nm体硅反相器链的单粒子瞬态脉宽特性研究

摘要：

针对130 nm体硅反相器链,利用脉冲激光和重离子实验研究了目标电路单粒子瞬态(SET)的脉宽特性,并分析了电路被辐射诱发的SET脉宽特性受激光能量、重离子线性能量传递(LET)值、PMOS管栅长尺寸等因素的影响机制.重离子和脉冲激光实验结果类似,均表现为随激光能量、LET值的增加,电路被辐射诱发的SET脉宽逐步增大,且表现出明显的双(多)峰分布趋势,但辐射诱发的SET脉冲个数呈先增加再减少规律.此外,实验结果表明,在不同激光能量、LET值下,PMOS管栅长尺寸影响反相器链SET脉冲的特征不同.当激光能量、LET值较低时,PMOS管栅长尺寸大的电路产生的SET脉宽较大,而当激光能量、LET值较大时,PMOS管栅长尺寸小的电路反而产生更宽的SET脉冲.分析表明,较高激光能量、LET辐照时,寄生双极放大效应被触发可能是导致PMOS管栅长尺寸影响电路SET特征差异的主要原因.

关键词：单粒子瞬态(SET)、反相器、CMOS工艺、重离子、脉冲激光

所属期刊栏目：45

分类号：V216.5+1(基础理论及试验)

资助基金：国家自然科学基金;中国科学院重点部署项目;国防科技创新项目

在线出版日期：2019-06-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：1137-1144