电子照射对硅漂移探测器性能的影响

摘要：

由于高能电子辐射的长期照射,新一代太阳X射线探测器硅漂移传感器的探测性能可能发生变化.通过用电子放射源模拟空间电子对硅漂移探测器进行辐射照射试验,以测试电子照射对传感器能量分辨率、效率、信号幅度等性能的影响.试验结果表明,长期的电子照射造成硅漂移探测器面损伤和体损伤,使其漏电流增大,信号幅度减小,能量分辨率也受到照射的影响,而探测效率未发生变化.

关键词：太阳X射线、硅漂移探测器、电子、照射

所属期刊栏目：39

分类号：V476.4(航天器及其运载工具)

在线出版日期：2017-01-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：235-238