用于GMA的新型永磁偏置闭合磁路

摘要：

利用ANSYS有限元软件进行仿真模拟,对超磁致伸缩执行器（GMA,Giant Magnetostrictive Actuator）的磁路结构进行了分析和优化.根据磁致伸缩棒内磁场均匀性好,场外漏磁小的设计目标,利用极性相反的双永磁补偿原理,提出了一种新型的内置式永磁组合偏置结构,使得沿磁致伸缩棒长方向磁场分布均匀的同时,偏置磁场和激励磁场都形成良好的闭合磁路.ANSYS分析结果表明,棒中偏置磁场不均匀度为3.51%,激励磁场不均匀度为8.73%,均满足不均匀度小于10%的设计目标;在执行器指定位置（距离GMA 7cm）的总漏磁场强度为30.4 A/m,符合实际应用的标准要求（〈80 A/m）.

关键词：磁致伸缩、磁路结构、漏磁、ANSYS

所属期刊栏目：38

分类号：TG132.27(金属学与热处理)

资助基金：中央高校基本科研业务费专项91016006

在线出版日期：2013-04-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1682-1685