Flash存储中的纠错编码

摘要：

Flash闪存是一种非易失性的存储器件,随着工艺尺寸的不断减小,存储容量需求的不断增加,存储可靠性与寿命成为Flash生产与应用过程中最严重的两个挑战.基于多级（MLC,Multilevel Cell）＂与非（NAND）型＂Flash的层级结构特征与读写操作特性,构造了一种基于正交映射的纠错编码方法,给出其编解码原理与结构,并分析其纠错能力.在此基础上,分析了该编码方法在Flash存储系统中的两种典型应用场景,即分布式多用户共享存储以及历史数据的无差错恢复.此外,Flash存储单元的可靠性受擦除次数的限制,其寿命相当有限,该编码方法可以有效地利用坏块来提高Flash的整体生命周期.分析结果表明：不改变整体结构,只需对编码模块进行简单调整,即可实现多种实际应用需求.

关键词：闪存、纠错编码、正交映射、多用户共享、数据恢复

所属期刊栏目：38

分类号：TN911.22

资助基金：国家重点基础研究发展计划973资助项目2010CB731803

在线出版日期：2012-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1176-1180