平面工艺功率型半导体晶体管铝迁移实验
在平面工艺制造的功率型半导体晶体管芯片表面,发现高强度电场条件下存在跨越0.05 mm半绝缘硅带的铝迁移现象,对此开展了一系列实验研究.通过开帽物理观察与分析、低温测试与烘干验证、迁移物质分析对比,确定了迁移现象中的迁移物质,同时分别取证环境温度、湿度、芯片表面污染物以及器件局部结构与此迁移现象的关联性,以此提出了迁移机理假说,为在不同的诱发条件下对此迁移机理进行确认和量化研究提供指导.
铝迁移、功率型半导体晶体管、平面工艺、掺氧半绝缘多晶硅、实验研究
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TN405.97(微电子学、集成电路(IC))
总装备部预研项目9140A27020210JB1404
2012-04-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
1515-1518