一种超低压超低耗NMOS衬底偏置混频器
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一种超低压超低耗NMOS衬底偏置混频器

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使用两对NMOS管和衬底偏置技术,采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,为卫星导航双系统兼容接收机的射频集成电路芯片设计了一种超低压、超低耗NMOS衬底偏置混频器(NBBM,NMOS Bulk-Biased Mixer).以其中的GPS系统为例:射频信号、本振信号和中频信号分别为1 575.42 MHz,1 570 MHz和5.42 MHz.测试表明:在1 V电源电压下,驱动差分负载阻抗1 000 Ω时,混频器消耗电流约为1.37 mA,变频增益(GC)超过2.11 dB,输入1 dB压缩点(Pin-1 dB)约为-13 dBm;若加入运放驱动,变频增益可超过14 dB,但会带来线性度的降低、功耗以及面积的增加.

CMOS集成电路、射频接收机、混频器、导航、电源、超低压、超低耗、衬底偏置

35

TN47(微电子学、集成电路(IC))

国防科工委民用航天专项基金

2017-01-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

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