10.3969/j.issn.1001-5965.2006.11.004
改进的内框架驱动式硅MEMS陀螺温度误差模型
温度误差是MEMS(Micro Electronic Mechanical System)陀螺仪的主要误差源之一,为了消除温度对内框架驱动式硅MEMS陀螺仪性能的影响,提出了一种改进的温度误差模型.基于硅材料的赛贝克(Seebeek)效应,结合表头温度变形,分析了陀螺仪零偏误差;利用温度引起的干扰力矩,分析了陀螺仪输出与比力及角加速度有关项误差;针对温度引起系统谐振频率的变化,分析了陀螺仪标度因数误差.试验结果表明:在温度变化过程中,比力引起的干扰力矩是导致陀螺仪温度误差的主要因素,验证了改进的温度误差模型的正确性,补偿后陀螺仪的零偏稳定性提高了53.75倍,标度因数精度提高了19.6倍,改进的温度误差模型也适用于其它MEMS陀螺仪.
微机电系统(MEMS)、陀螺仪、温度误差、零偏、与比力有关项误差、标度因数
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U666.1;V241.6(船舶工程)
应用基础研究项目;教育部新世纪优秀人才支持计划
2006-12-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
1277-1280,1303