掺杂nc-Si:H薄膜中纳米硅晶粒的择优生长

摘要：

发现PECVD生长的系列掺杂氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜中纳米硅晶粒(nc-Si)有择优生长的趋势.用Raman、XRD、AFM、HRTEM等方法研究其微观结构时发现:掺磷的nc-Si:H薄膜XRD 峰位的二倍衍射角约为33°.掺硼nc-Si:H薄膜的XRD峰位的二倍衍射角约为47°.用自由能密度与序参量的关系结合实验参数分析得到:较高的衬底温度引起序参量改变,使掺磷nc-Si:H薄膜中nc-Si的晶面择优生长.适当的电场作用引起序参量改变,导致掺硼nc-Si:H薄膜在一定的自由能密度范围内nc-Si的晶面择优生长.

关键词：掺杂、电场、温度、择优生长、nc-Si:H薄膜、纳米硅晶粒

所属期刊栏目：29

分类号：O613.72;O613.8+1;O613.62(无机化学)

资助基金：国家高技术研究发展计划（863计划）200220006037

在线出版日期：2003-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：753-758