SOI/SIMOX-CMOS器件的研究

摘要：

研究SOI-SIMOX（Silicon On Insulation-Separation by Implanted Oxygen)材料及SIMOX-CMOS器件.高能大剂量(170keV,1.5×1018/cm2)氧离子注入到P型（100）单晶Si衬底，再经高温长时间（1300℃,6h）退火，形成SIMOX结构材料.经测试，SIMOX表层单晶硅膜反型为N型，研究表明，这是由于在制备SIMOX的工艺中，残留在SIMOX表层硅膜内的氧离子起施主作用所致，并计算出氧杂质在硅中的施主电离能,其值为0.15eV.采用SIMOX材料研制了MOSFET及CMOS三3输入端与非门电路，并介绍了研制SIMOX-CMOS器件的主要工艺.

关键词：半导体材料、半导体器件、与非门电路、SOI、SIMOX、CMOS

所属期刊栏目：27

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：教学改革项目

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：109-111