团簇V3BP电子自旋密度的研究
基于密度泛函理论,对B3 LY P/Lanl2 dz赝势基组水平的V3BP的11种优化构型通过分析其电子自旋密度分布进行稳定性的研究.结果表明:团簇V3BP最稳定构型1(4)外围电子自旋密度分布均匀,对称性好;内部原子间成键强弱均匀,对称性好;最不稳定构型8(2)外围α电子和B电子交替分布且分布不均匀,对称性差且极不规整;内部原子间成键强度各不相同,同一类型键原子间成键强弱也不均匀;团簇V3BP各优化构型的外围电子分布由α电子和β电子共同组成,且α电子所占比例较大;构型2(4)、1(2)、4(2)、8(2)内部原子间成键后均为β电子过剩,其余构型内部原子间成键后均为α电子过剩.
团簇V3BP、稳定性、密度泛函理论、自旋密度分布
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O641.121(物理化学（理论化学）、化学物理学)
国家级大学生创新创业训练计划201710146000277/201710146000355/201610146033;辽宁省大学生创新创业训练计划201710146000097/201610146044;国家自然科学基金重点项目51634004
2018-06-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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