纯相SnO2纳米晶薄膜的一步电沉积制备及其结构与光电性能研究

摘要：

采用一步电沉积在氧化铟锡(ITO)导电玻璃基底上制备纯相SnO2纳米晶薄膜材料,通过改变沉积条件,研究沉积电位、镀液温度和HNO3浓度对薄膜组成结构的影响.结果表明:当沉积电位为-0.9V (vs.SCE),镀液温度为65℃,HNO3浓度为50 mmol/L时,所制备的SnO2纳米晶薄膜为纯相金红石型结构,且薄膜相对连续致密.光电性能测试表明,该薄膜具有优异的光电性能,在可见光区透光率大于90％,带隙为3.75 eV,且电阻率为2.2×10-3 Ω·cm,载流子浓度为1.9×1020 cm-3,载流子迁移率为14.8 cm2/(V·s).故所制备的SnO2纳米晶薄膜是太阳能电池的理想窗口层材料.

关键词：纯相SnO2、纳米晶薄膜、电沉积、太阳能电池、窗口层材料

所属期刊栏目：44

分类号：TQ153

资助基金：国家自然科学基金51502013

在线出版日期：2017-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：19-25