槽栅结构SiC材料IGBT的仿真及优化分析

摘要：

运用半导体物理理论和功率器件模拟软件(SILVACO-TCAD),研究了新型宽禁带材料SiC槽栅结构IGBT功率半导体器件的电学特性,模拟了不同厚度和掺杂浓度漂移层和缓冲层的IGBT器件的阈值电压、开关特性和导通特性曲线,并分析了漂移层和缓冲层厚度及掺杂浓度对电学特性的影响.结果表明,当SiC-IGBT功率器件漂移层和缓冲层厚度分别为65 μm和2.5 μm,掺杂浓度分别为1×1015和5×1015 cm-3时,得到击穿电压为3400V,阈值电压为8V.

关键词：4H-SiC、绝缘栅双极型晶体管、阈值电压、击穿电压、开关特性

所属期刊栏目：38

分类号：TN386(半导体技术)

在线出版日期：2012-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：104-108