NAND闪存编程干扰错误研究

摘要：

编程干扰错误是3D-TLC NAND闪存的主要错误之一, 了解3D-TLC NAND闪存编程干扰错误模式是设计可靠方案的前提和基础.以实际的FPGA测试平台为基础对3D-TLC NAND闪存的编程干扰错误的出错模式进行了测试研究, 分析发现:3D-TLC NAND闪存的编程干扰错误会使单元状态转移比例具有不平衡的关系;MSB页、CSB页和LSB页具有不平衡的比特错误比例和比特错误率分布.这些测试发现为设计可靠的方案提供了重要技术参考信息.

关键词：NAND闪存、3D-TLC、编程干扰错误、编程干扰错误率

所属期刊栏目：25

分类号：TP301(计算技术、计算机技术)

资助基金：存储产业技术创新战略联盟共研项目LM201701B05

在线出版日期：2019-08-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：23-27,17