PVD工艺对IGZO薄膜结晶化的影响
在 G4.5 实验线上,采用射频磁控溅射法,通过优化成膜时的温度、功率、气体流量比、退火温度和膜层厚度等参数,以 XRD,HR-TEM,NBED 和 EDS 进行表征,研究制备结晶 IGZO 的工艺参数及其对薄膜晶体管(TFT)电性的影响.结果表明,当 IGZO 膜层厚度达到 3000 ? 以上时结晶效果明显,且不受其他因素影响;成膜功率对 IGZO 结晶现象有加强作用,功率越高越易结晶;成膜温度和氧气/氩气(O2/Ar)气体比例对 IGZO结晶影响不大;成膜完成后经过 600℃的退火处理可有效地促进 IGZO 的再结晶.通过优化 IGZO 成膜条件,制备出迁移率达 29.6 cm2/(V·s)的背沟道刻蚀结构 IGZO TFT,比非晶 IGZO TFT 提高约 3 倍,显著地改善了 IGZO TFT的电学特性.
IGZO、结晶、磁控溅射、迁移率提高
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国家自然科学基金61274084,6574003
2019-12-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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