空气对InAs纳米线场效应晶体管性能的影响

摘要：

制备基于单根InAs纳米线的平面场效应晶体管纳米器件,测量并研究器件在真空、空气、氮气、氧气、水汽和大气污染成分二氧化氮中的电学特性.与真空中的结果相比,空气中器件的阈值电压向正栅压方向偏移,关态电流上升,开关比下降.空气的主要成分氮气对器件性能没有可分辨的影响;氧气的影响很弱;水汽使关态电流上升,开关比下降,但使阈值电压向负栅压方向偏移.研究表明,大气污染成分二氧化氮使器件的阈值电压向正栅压方向偏移,开关比不变.研究结果表明,空气对器件性能的影响是水汽和二氧化氮共同作用的结果.

关键词：InAs纳米线、纳米器件、电学特性、气敏

所属期刊栏目：51

分类号：O472(半导体物理学)

资助基金：科技部重大科学研究计划2012CB932702

在线出版日期：2017-01-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：585-590