石墨烯场效应晶体管的光响应特性研究

摘要：

采用电子束曝光和剥离工艺制备石墨烯场效应晶体管,并研究其光电响应特性.结果表明,当激光光斑(波长为633 nm)照射在金属电极边缘的石墨烯沟道时,可测得明显的光电流.背栅电压能够有效调制光电响应,可以改变光电流的大小和方向.在背栅调控下,光电流出现饱和现象,石墨烯晶体管的光响应度最大达到46.5 μA/W,可用于构建基于石墨烯的新型光探测器.

关键词：石墨烯场效应晶体管、光电响应、背栅调制

所属期刊栏目：50

分类号：TN364;TN386(半导体技术)

资助基金：国家科技重大专项2011ZX02707-2;高等学校博士学科点专项科研基金20130001110024

在线出版日期：2017-01-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：704-708