高κ栅介质SOI nMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究
对高κ栅介质SOI nMOSFET器件的PBTI退化和恢复进行实验研究,并且与pMOSFET器件的NBTI效应进行比较,分析PBTI效应对阈值电压漂移、线性及饱和漏电流、亚阈摆幅和应力诱导漏电流的影响.结果显示,PBTI的退化和恢复与NBTI效应具有相似的趋势,但是PBTI具有较高的退化速率和较低的恢复比例,这会对器件的寿命预测带来影响.最后给出在PBTI应力条件下,界面陷阱和体陷阱的产生规律及其对器件退化的影响.
正偏置温度不稳定性(PBTI)、高介电常数栅介质、绝缘衬底上的硅型金属氧化层半导体场效应晶体管(SOI MOSFET)、退化、应力诱导漏电流(SILC)
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TN406(微电子学、集成电路(IC))
国家重点基础研究发展计划2011CBA00606
2017-01-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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