SOI高压器件热载流子退化研究
提出一种可以表征STI型LDMOS器件各个区域界面陷阱密度分布的测试方法--MR-DCIV,利用该方法得到包括LDMOS器件的沟道区、积累区和漂移区在内的LDMOS器件界面陷阱密度在多种热载流子应力条件下的产生退化规律.针对界面陷阱的位置对LDMOS器件电学特性的影响进行分析,结果显示,在最大衬底电流应力模式下,产生的导通电阻退化最为严重,从而揭示不同于传统MOSFET器件导致LDMOS器件热载流子退化的机理.
高压横向扩散场效应晶体管、多区域直流电压电流技术、界面态、热载流子退化
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TN386(半导体技术)
国家重点基础研究发展计划2011CBA00606
2017-01-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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