ZnO纳米线PL光谱性质改善的研究

摘要：

采用CVD方法在管式炉中生长了ZnO纳米线,并通过SEM、TEM和PL光谱仪表征了其形貌、结构及光谱性质.利用Au表面等离激元共振与材料的相互作用,在ZnO纳米线表面镀上Au膜,发现其对ZnO纳米线的PL光谱有明显的改善,纳米线本征发光增强20倍左右,缺陷发光有显著的减弱.通过高温退火,结果显示ZnO纳米线的本征发光和缺陷发光之间存在很强的竞争,在入射光功率一定的条件下,高温退火后ZnO纳米线的本征发光明显地减弱,缺陷发光显著地增强.对退火后的ZnO纳米线镀上Au膜,发现其本征发光增强了30倍左右.这些结果比现有的报道有显著提高

关键词：ZnO纳米线、PL光谱、发光增强、Au表面等离激元共振、退火

分类号：O469(真空电子学（电子物理学）)

在线出版日期：2012-07-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：8-9