Ni增强Er在富硅氮化硅薄膜中的光致发光

摘要：

采用反应磁控溅射技术沉积了掺Er的富硅氮化硅(SRN∶Er)薄膜和SRN∶Er/Ni 3个周期的超晶格,两种薄膜都在1100℃进行退火实验.SRN∶Er薄膜的光致发光谱为一个峰位在665～750 nm的发光带和一个峰位在1.54 μm的发光带,前者来源于SRN薄膜中的纳米硅,后者为Er~(3+)的特征发射.SRN∶Er/Ni超晶格的光致发光谱上出现Er~(3+)在520,550和850 nm附近的精细结构,并且Er~(3+)在1.54 μm的发光有12倍的增强.光谱精细结构的出现证明Er~(3+)的微观环境由于掺Ni而变得有序.与在SRN中相比,在这种有序环境中Er~(3+)的光学活性有明显的增强.拉曼散射光谱测量证明在SRN∶Er /Ni超晶格中纳米硅的数目比在SRN∶Er薄膜中有一定的增加.因而,Er~(3+)1.54 μm发光12倍的增强是Er~(3+)本身光学活性的增强和纳米硅数目的增加共同作用的结果.

关键词：富硅氮化硅、Er、Ni、光致发光

所属期刊栏目：46

分类号：O469;O472;O484(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：国家重点基础研究发展计划项目2007CB613401 和国家自然科学基金50732001, 10574008, 10674012, 10874001, 60877022 资助

在线出版日期：2017-01-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：12-16