氮离子轰击改善胶体石墨薄膜平面场发射特性的研究
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10.3321/j.issn:0479-8023.2007.03.022

氮离子轰击改善胶体石墨薄膜平面场发射特性的研究

引用
研究了氮离子(N+)轰击对石墨薄膜场发射特性的影响.片层石墨被N+轰击成较整齐排列的锥尖阵列,尖端密度~108cm -2.XPS谱证实有许多N原子注入薄膜,膜内存在大量sp2杂化轨道键.场发射测试表明,经过N+轰击,整个薄膜在场发射的均匀一致性方面有较明显的改善,场发射电流密度从0.3增大到1.65mA/cm2.

氮离子(N+)、溅射轰击、石墨、场发射阵列

43

TN141;TN103(真空电子技术)

国家自然科学基金60471008和60231010

2007-07-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

412-416

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北京大学学报(自然科学版)

0479-8023

11-2442/N

43

2007,43(3)

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