非定向氧化锌纳米线阵列的场发射

摘要：

使用热蒸发的方法在硅基底上制备了非定向氧化锌(ZnO)单晶纳米线阵列.经过热蒸发之后,在硅基底上形成一层均匀分布的ZnO点.在这些ZnO点上生长出非定向的ZnO纳米线阵列,其中的纳米线直径大约在10到20 nm之间.考虑到实用,在制备样品的过程中硅基底的温度始终保持在500℃以下.然后测量了这些非定向ZnO纳米线阵列的场发射特性.在5.5 V·μm-1场强下得到了10μA·cm-2的场发射电流密度;同时使用透明阳极技术观察了其场发射中心的分布.

关键词：氧化锌纳米线、场发射、场发射中心分布、屏蔽效应

所属期刊栏目：41

分类号：TN141;TN103(真空电子技术)

资助基金：国家自然科学基金60471008,60171025,60128101;国家重点基础研究发展计划973计划2001CB610503

在线出版日期：2005-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：774-779