脉冲激光沉积法原位后退火生长MgB2薄膜的研究

摘要：

采用脉冲激光沉积的方法在Al2O3(0001)基片上先生成Mg-B混和薄膜,然后采用原位后退火的方法生成MgB2超导薄膜,采用磁测量(M-T)、X射线衍射、扫描电子显微镜技术分析了各种沉积及退火条件对MgB2超导薄膜表面形貌、晶体结构、超导电性的影响.在沉积温度为200 ℃,退火时间5 min时,改变退火温度得到一组薄膜,研究退火温度对超导薄膜性质的影响,得到了转变温度-退火温度曲线.在退火温度为670 ℃、720 ℃时,得到了最高的临界转变温度Tc=33 K,X射线衍射结果表明此时的薄膜有c轴取向.同时比较了在200 ℃下沉积,在670 ℃下分别退火不同时间的薄膜的超导性质.还比较了分别在不同温度下沉积,然后在670 ℃下退火5 min的薄膜的超导性质.结果表明,沉积温度和退火温度、退火时间极大的影响了薄膜的各种性质.

关键词：MgB2、超导薄膜、脉冲激光沉积、原位后退火

所属期刊栏目：41

分类号：TG1(金属学与热处理)

资助基金：教育部人文社会科学研究项目02002

在线出版日期：2005-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：710-714