GaN纳米线的成核及生长机制研究

摘要：

报道了利用CVD方法研究GaN纳米线的成核和生长机理的最新结果,着重强调了生长温度和催化剂对纳米线生长的影响.通过分析GaN纳米线的形貌、显微结构与生长温度、催化剂等影响因素之间的依赖关系,详细研究了GaN纳米线的生长过程.这一结果有助于了解一维纳米结构的生长机理,实现纳米材料的可控制生长,并有可能直接应用于GaN纳米器件的制备.

关键词：GaN、成核、催化剂、生长机理

所属期刊栏目：39

分类号：O488(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金50025206,19834080;高等学校博士学科点专项科研项目

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：336-340