用微结构改进InGaAlP量子阱发光二极管的出光强度

摘要：

针对半导体发光二极管(LED)出光效率低下的问题,提出了一个在LED顶部引入周期性微结构的新设想.根据这一设想,采用简单的微加工技术研制成功带有环形槽微结构的圆台形InGaAlP量子阱LED.结果表明,这种新型LED在竖直方向的出射光强比不带微结构的LED有明显增强.这一成功为改进发光二极管的出光效率提供了新的途径.

关键词：发光二极管、出光效率、InGaAlP量子阱、微结构

所属期刊栏目：39

分类号：TN312+.8;TN202;TN304.2+3;TN303;O472+.3(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金69896260,60077022,60276034;国家重点实验室基金

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：331-335