低剂量辐照条件下的MOSFET因辐照导致的阈值电压漂移的模拟

摘要：

推导了MOSFET器件阈值电压漂移与辐照剂量和辐照剂量率之间的解析关系.模型计算结果与实验吻合较好.该模型物理意义明确,参数提取方便,适合于低辐照总剂量条件下的MOS器件与电路的模拟.并进一步讨论了MOSFET的辐照敏感性.结果表明,尽管PMOS较之NMOS因辐照引起的阈值电压漂移的绝对量更大,但从MOSFET阈值电压漂移量的摆幅这一角度来看,在低剂量辐照条件下NMOS较之PMOS显得对辐照更为敏感.这一研究结果可能为辐照剂量学提供新的应用思路.

关键词：MOSFET、阈值电压漂移、辐照效应、辐照敏感性

所属期刊栏目：38

分类号：T N304

资助基金：高等学校博士学科点专项科研项目;国家重点基础研究发展计划973计划G2000036503

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：63-68