10.3321/j.issn:0479-8023.2001.02.013
Al2O3或TiO2掺杂的ScSZ固体电解质纳米晶薄膜的制备及表征
利用溶胶-凝胶旋涂法,在单晶硅基片(100)上分别制得了厚度约为0.31 μm的(Al2O3)0.10(Sc2O3)0.08(ZrO2)0.82和0.36 μm的(Sc2O3)0.125(TiO2)0.175(ZrO2)0.70固体电解质纳米晶薄膜。烧结实验结果表明,两种薄膜均在650℃以上开始晶化,温度越高,晶化越完全,在800℃可完全晶化;所得纳米晶颗粒呈纯的萤石结构立方相;铝和钛掺杂的纳米晶颗粒的平均大小分别为47和51 nm。铝掺杂的薄膜非常均匀致密,然而,钛掺杂的薄膜存在少量微气孔。
铝或钛掺杂的氧化钪稳定的氧化锆、纳米晶薄膜、Sol-Gel制备、表征
37
O484.5(固体物理学)
国家自然科学基金29525101,29701001,29832010;国家重点基础研究发展计划973计划G1998061300;高等学校博士学科点专项科研项目;北大方正科学基金
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
200-204