对一种新型全有机复合薄膜的超高密度信息存储研究

摘要：

用真空热壁法生长了一种新型全有机复合薄膜TTF/m-NBP(tetrathiofulvalene/m-nitrobenzylidene propanedinitrile).用透射电子显微镜和傅立叶变换红外光谱对薄膜的表征结果证明,该制备方法能够生长出较大面积的化学结构完善的单晶薄膜.用原子力显微镜(AFM)和扫描隧道显微镜(STM)都观察到了TTF/m-NBP薄膜表面的原子级分辨像.通过STM针尖施加脉冲电压在TTF/m-NBP薄膜上实现了纳米级的信息存储,最小记录点直径约为1.2nm.扫描隧道谱分析表明TTF/m-NBP薄膜具有很好的电开关"记忆"特性.初步研究认为其电开关机制可能主要是脉冲电压诱发的TTF电子给体与m-NBP电子受体分子间的电荷转移的变化所致.

关键词：超高密度数据存储、有机复合薄膜、扫描隧道显微镜

所属期刊栏目：36

分类号：O484.42;TN804(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金69890221;高等学校博士学科点专项科研项目

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：421-427